プロセス技術と性能に対する全体像の把握
テックインサイツのレポートは、電子回路、ソフトウェア、製造プロセスなどの技術実装の使用について説明しています。このようなレポートにより、技術革新情報の入手、侵害証拠の発見、特許価値の提示を可能にし、企業のテクノロジー (技術)、法務、特許のプロフェッショナルをサポートします。
テックインサイツのトランジスタおよび特性解析は以下の知見を提供します。
- プロセス技術と性能に対する全体像の把握
- プロセスの理解、性能の調査、傾向の把握
- IOFF vs. ION、 IOFF vs. ID/LIN の普遍曲線、および各普遍曲線のデータポイントの伝達特性/出力特性
テックインサイツのトランジスタ特性レポートは、ロジック NMOS および PMOS トランジスタの DC 特性を解析します
-20、25、80℃の各温度で測定した、主要パフォーマンスベンチマークの値をグラフと表で記載しています。また 25℃ のみのデータを記載したレポートもご利用いただけます。
NMOS および PMOS トランジスタの具体的な DC 解析ベンチマークは、下記などの内容を含みます
- 線形スレシホールド電圧 (VT、LIN)、飽和スレシホールド電圧 (VT、SAT)
- 駆動電流 (ID、SAT)
- オフステート電流 (IOFF)、ゲートリーク電流 (IG)
- サブスレシホールド幅 (S)
- 相互コンダクタンス (gm)
- パンチスルー電圧 (VPT)
- プロセス利得係数 (k)
- IDS vs. VGS のグラフ
- IDS vs. VDS のグラフ
補助データには以下が含まれます。
- パッケージの画像、 X 線画像
- ダイの画像およびダイマーク
- 測定対象 NMOS および PMOS トランジスタの SEM トポグラフィー画像
- NMOS および PMOS ゲート長を示す TEM 断面画像
テックインサイツが提供するトランジスタ特性解析、製品およびサービスの詳細については、サブスクリプションサービスをご覧ください。
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