Get regular, succinct analysis of emerging power process semiconductor products.

The semiconductor industry is developing new power process technologies using Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) that are smaller and more efficient, with lower losses and higher breakdown voltage.

Silicon (Si) offerings in this space are very mature, but we continue to see noteworthy innovations. This subscription-based service provides you access to our analysis on these cutting-edge products.

炭化ケイ素 (SiC)

窒化ガリウム (GaN)

ケイ素 (Si)

Provides product insights as they enter mass production in high-volume applications





  • PDF レポート (各30 ページ以上) と画像: 年間 10 本解析の範囲:
    • デバイスの測定値、特筆すべき特徴
    • パッケージの X 線画像、ダイの写真
    • SEM プランビュー画像、SEM 断面画像
    • TEM 断面画像、材料解析
  • トレンド解析 – 概要レポート: 年間 3 本
  • 特許ランドスケープサマリー: 年間 1 本
  • 解析チームによるオンサイトワークショップ: 年間 1 回
  • リアルタイム更新:
    公開前の解析途上のプロジェクト資料 (PEF レポート、解析チームによる概要レポートなど) へのアクセス全ての予備解析 (年間約 30 デバイス) へのアクセス



  • 製品のティアダウン:
  • 電力用プロセスフロー:
  • パッケージ解析:
    詳細なパッケージ解析、断面画像によるパッケージ解析、SEM 画像、SEM-EDS による材料解析
  • 電気的特性:
    伝達特性 (IDVG)、出力特性 (IDVD)、RDSON、降伏電圧
  • 制限視野電子回折:
    GaN ベースのエピタキシャル層の TEM による制限視野電子回折 (SAED: Selective Area Electron Diffraction)

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