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東芝 / SanDisk、Micron / Intel, SK hynix、Samsung 各社が使用している1x and 1y nm NAND Flash メモリーディバイスのプロセス比較

このレポートは、NAND Flashメモリが使用されている 東芝 / SanDisk 15 nm、 IM Flash Technologies 16 nm、SK-hynix 16 nm、Samsung 16nm各4社の最先端の1x and 1y nm NAND Flashセル構造の比較になります。

 
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Samsung K9DUGB8S7M 0.5 TB 48L V-NAND Flash Memory メモリー詳細構造解析

このレポートは、Samsung T3 2 TB SSDに搭載されている同社K9DUGB8S7M 48L V-NAND Flash メ モリー詳細構造解析です

東芝 (Sandisk/東芝) 15 nm X3 (3 bit/セル) 128 Gbit NAND フラッシュメモリー内部波形解析

標準波形解析では、プログラミングアルゴリズムの詳細と、メモリーセルのプログラミング、読み込み、消去に必要な内部電圧の詳細を示します。

SanDisk-Toshiba 15 nm NAND のブロック (一部) の CircuitVision 解析

このCircuitVisionレポートは、SanDisk /東芝が15nmのNAND型フラッシュのための階層的な回路図のセットを提供します

 
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Hynix H9HKNNNBTUMU LPDDR4 DRAM (モバイル向け) CircuitVision 解析

この CircuitVision 解析は、SK Hynix H9HKNNNBTUMU LPDDR4 DRAM (モバイル向け) のシングルダイ上にある独自性を備えた全回路ブロックの回路抽出、解析結果、構成を記載しています。

 
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CircuitVision Analysis of the Major Blocks on the Samsung LPDDR4 DRAM (モバイル向け) の CircuitVision 解析

この CircuitVision 解析は、Samsung LPDDR4 DRAM (モバイル向け) ダイの主要な全回路ブロックの回路抽出、解析結果、構成などを記載しています。

SK-Hynix 広帯域メモリー(HBM) パッケージ解析

先 頃、AMDは、SKHynixによる4GB の広帯域メモリー(HBM)を搭載 した Radeon R9 Fury X シリーズ GPU を発売しました。

TSV 技術を用いた Samsung K4AAG045WD-4CRB DDR4 SDRAM の パッケージ解析

本書は、TSV 技術を用いた Samsung K4A4G045WD-CRB DDR4 SDRAM の詳細 な構造解析レポートです。

 
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Samsung Galaxy S7 スマートフォン搭載 ソニー IMX260 12 Mpix イメージセンサー 詳細構造解析 裏面照射型 CMOS

本レポートは、Samsung Galaxy S7 スマートフォンに搭載されているソ ニー IMX260 12 Mpix 裏面照射型 (BSI) CMOS イメージセンサーの詳細 構造解析です。

Samsung 14 nm LPP プロセスを採用した Qualcomm Snapdragon 820

Samsung 14 nm FinFET プロセスは、世界最先端のスマートフォンプロセッサに採用されつつあり。

TDK SESUB-PAN-T2541 Bluetooth V4.0 Smart Single Mode Module パッケージング解析

このレポートは、TDK SESUB-PAN-T2541 Bluetooth V4.0 Smart Single Mode Module の詳細なパッケージ解析です。

SMIC の 40 nm LP プロセスで製造された Rockchip RK3028A SoC の ロジック詳細構造解析

RK3028は、エントリレベルのデュアルコアタブレット溶液SOCがSMICs 40 nmのLPプロセスを用いて製造されます。

 
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LTE マルチモード接続、衛星測位 システム GLONASS/BEIDOU 対応 トランシーバチップ Qualcomm WTR4905 CircuitVision 解析

WTR4905 は、LTE マルチモード接続に 対応するトランシーバチップで、エン トリーレベルのスマートフォン向けの 同社 Snapdragon 410、610、615 プロ セッサに搭載されています。

NFC NXP PN549は、iPhone 6S CircuitVision分析で発見

TechInsightsは、 AppleのiPhone 6SにおけるNXPのPN549近距離通信( NFC )コントローラーを発見しました。

Apple iPhone 6 および Samsung Galaxy S6 edge で見つかった NXP NFC PN548 IC の解析

このデバイスの特徴は、メタルゲートを用いたトランジスタで、「high-k ファースト、ゲート・ラスト」方式を採用して製造されていることです (最小コンタクテッド ゲートピッチは 120 nm)。

Qualcomm WTR3925 のアナログ回路の CircuitVision 解析TM RF トランシーバ

この CircuitVision レポートでは、 Qualcomm WTR3925 RF トランシーバの階層的な回路図を提供します。

 
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東芝 / SanDisk、Micron / Intel, SK hynix、Samsung 各社が使用している1x and 1y nm NAND Flash メモリーディバイスのプロセス比較

このレポートは、NAND Flashメモリが使用されている 東芝 / SanDisk 15 nm、 IM Flash Technologies 16 nm、SK-hynix 16 nm、Samsung 16nm各4社の最先端の1x and 1y nm NAND Flashセル構造の比較になります。

Samsung Galaxy S7 スマートフォン搭載 ソニー IMX260 12 Mpix イメージセンサー 詳細構造解析 裏面照射型 CMOS

本レポートは、Samsung Galaxy S7 スマートフォンに搭載されているソ ニー IMX260 12 Mpix 裏面照射型 (BSI) CMOS イメージセンサーの詳細 構造解析です。

Samsung K9DUGB8S7M 0.5 TB 48L V-NAND Flash Memory メモリー詳細構造解析

このレポートは、Samsung T3 2 TB SSDに搭載されている同社K9DUGB8S7M 48L V-NAND Flash メ モリー詳細構造解析です

Apple A9 プロセッサのロジック詳細構造解析 TSMC 16 finFET プロセス

本レポートは、TSMC の 16 finFET プロ セスを使用して製造された Apple A9 プロセッサのロジック詳細構造 解析(LDSA)レ ポ ー ト で す 。

 
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Intel PMB5747 SMARTi LTE マルチモード RF トランシーバ CircuitVision (回路) 解析

PMB5747 は SMARTi マルチモード RF トランシーバで、X-Gold 233 PMB8818 ベースバンドプロセッサと 組み合わせて ASUS ZenFone 2 ス マートフォンに、また X-Gold 726 PMB9933 ベースバ ンドプロセッサと組み合わせて Microsoft Surface 3 ノートブック PC、 Samsung Galaxy Alpha スマー トフォンに搭載されています。

 
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LTE マルチモード接続、衛星測位 システム GLONASS/BEIDOU 対応 トランシーバチップ Qualcomm WTR4905 CircuitVision 解析

WTR4905 は、LTE マルチモード接続に 対応するトランシーバチップで、エン トリーレベルのスマートフォン向けの 同社 Snapdragon 410、610、615 プロ セッサに搭載されています。

Hynix H9HKNNNBTUMU LPDDR4 DRAM (モバイル向け) CircuitVision 解析

この CircuitVision 解析は、SK Hynix H9HKNNNBTUMU LPDDR4 DRAM (モバイル向け) のシングルダイ上にある独自性を備えた全回路ブロックの回路抽出、解析結果、構成を記載しています。

CircuitVision Analysis of the Major Blocks on the Samsung LPDDR4 DRAM (モバイル向け) の CircuitVision 解析

この CircuitVision 解析は、Samsung LPDDR4 DRAM (モバイル向け) ダイの主要な全回路ブロックの回路抽出、解析結果、構成などを記載しています。

 
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Apple A9 プロセッサで使用されている TSMC 16 nm FinFET プロセスの温度変化に対するトランジスタ特性

Apple A9 プロセッサで使用されている TSMC 16 nm FinFET プロセスのトランジスタ特性レポートは、ロジック NMOS および PMOS トランジスタの DC 特性を解析します。

Samsung 14 nm Exynos 7 SoC のマルチ温度トランジスタ特性

14 nm ノード Samsung Exynos 7 7420 SoC のトランジスタ特性レポートは、ロジック NMOS および PMOS トランジスタの DC 電気特性を解析します。

Samsung 3D V-NAND フラッシュメモリーのトランジスタ特性

Samsung K9HQGY8S5M 3D V-NAND フラッシュメモリーのトランジスタ特性レポートは、ロジック NMOS および PMOS トランジスタの DC 電気特性を解析します。

Qualcomm 20 nm ノード MDM9235M モデムチップセットのマルチ温度トランジスタ特性

Techinsights のマルチ温度トランジスタ特性レポートは、主要な DC 電気測定を 2 つの NMOS および 2 つの PMOS ...

 
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東芝 (Sandisk/東芝) 15 nm X3 (3 bit/セル) 128 Gbit NAND フラッシュメモリー内部波形解析

標準波形解析では、プログラミングアルゴリズムの詳細と、メモリーセルのプログラミング、読み込み、消去に必要な内部電圧の詳細を示します。

東芝 (Sandisk/東芝) TH58TEG7DDJTA20 19 nm MLC NAND フラッシュ内部波形解析

東芝 (Sandisk/東芝) TH58TEG7DDJTA20 19 nm MLC NAND フラッシュの徹底解析は、パッケージ内部に重ねられたデュアル 64G ビットダイの 1 つで完了します。

Samsung 3D V-NAND フラッシュメモリーのトランジスタ特性

東芝 (Sandisk/東芝) TH58TEG7DDJTA20 19 nm MLC NAND フラッシュ の徹底解析は、パッケージ内部に重ねられたデュアル 64G ビットダイの 1 つで完了します。

Macronix MX25L6406E 64M ビット CMOS シリアルフラッシュの内部波形解析

このレポートには、Macronix MX25L6406E 64M ビット CMOS シリアルフラッシュの主要なブロックの詳細な解析が含まれています。

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